產品名稱：KS1212DAT單N溝道高級功率 MOSFET
產品型號：KS1212DAT
代理品牌：kwansemi冠禹
產品封裝：TO-252封裝
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發貨貨倉：深圳、香港
熱門標簽：KS1212DAT，KS1212DAT資料，KS1212DAT溝槽MOSFET
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冠禹KS1212DAT單N溝道高級功率 MOSFET
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產品概況
產品特點
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單N溝道高級功率 MOSFET
特征
·100V/36A，
RDs(ON) =16mΩ(Typ.) @VGs=10V
RDs(on) =21mΩ(Typ.) @VGs=4.5V
·優秀的QG RDS(on)產品(FOM)
·SGT科技
·100%雪崩測試
應用
·電源開關應用動作
·LED背光
筆記：
①脈沖寬度受安全工作區限制。
②根據最大允許結溫計算出的連續電流。
③安裝在1平方英寸銅板上時，t≤10sec。 任何給定應用程序中的值
取決于用戶的具體電路板設計。
④受TJmax限制，IAS=12A，L=0.5mH，VDD=50V，RG=25Ω，啟動TJ=25°C。
⑤脈沖測試；脈沖寬度≤300μs，占空比≤2%。
⑥設計保證，未經生產測試。
Single N-Channel Advanced Power MOSFET
Features
·100V/36A，
RDs(ON) =16mΩ(Typ.) @VGs=10V
RDs(oN) =21mΩ(Typ.) @VGs=4.5V
·Excellent QG RDS(on) product(FOM)
·SGT Technology
·100%Avalanche Tested
Applications
·Power Switching Appli action
·LED Backlighting
Notes:
①Pulse width limited by safe operating area.
②Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.
③When mounted on 1 inch square copper board, t≤10sec. The value in any given application
depends on the user's specific board design.
④Limited by TJmax, IAS =12A, L=0.5mH, VDD = 50V, RG = 25Ω , Starting TJ = 25°C.
⑤Pulse test;Pulse width≤300μs, duty cycle≤2%.
⑥Guaranteed by design, not subject to production testing.
