產品名稱：臺灣松木P 溝道 20V (D-S) MOSFET
產品型號：ME2333/ME2333-G
代理品牌：臺灣松木
產品封裝：SOT-23
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發貨貨倉：深圳/香港
熱門標簽：松木ME2333/ME2333-G，P溝道MOS管
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臺灣松木ME2333/ME2333-G 中低壓mos管
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ME2333 / ME2333-G，P溝道20V（D-S）MOSFET
ME2333一般說明：
ME2333是使用高單元密度DMOS溝槽技術生產的P通道邏輯增強模式功率場效應晶體管。 這種高密度工藝經過特別設計，可最大程度地降低導通電阻。 這些器件特別適合低壓應用，例如蜂窩電話和筆記本計算機電源管理以及其他電池供電的電路，在這些應用中，需要采用非常小巧的表面貼裝封裝進行高端開關和低串聯電源損耗。
ME2333產品應用：
●筆記本中的電源管理
●便攜式設備
●電池供電系統
●DC / DC轉換器
●負荷開關
●DSC
●液晶顯示逆變器
ME2333/ME2333-G，P-Channel 20V (D-S) MOSFET
GENERAL DESCRIPTION
The ME2333 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook
computer power management and other battery powered circuits where high-side switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
APPLICATIONS
● Power Management in Note book
● Portable Equipment
● Battery Powered System
● DC/DC Converter
● Load Switch
● DSC
● LCD Display inverter
ME2333特征：
●RDS（ON）≦35mΩ@VGS=-4.5V
●RDS（ON）≦49mΩ@VGS=-2.5V
●RDS（ON）≦69mΩ@VGS=-1.8V
●超高密度電池設計，可實現極低的RDS（ON）
●出色的導通電阻和最大直流電流能力
FEATURES
● RDS(ON)≦35m?@VGS=-4.5V
● RDS(ON)≦49m?@VGS=-2.5V
● RDS(ON)≦69m?@VGS=-1.8V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
標簽：
