產品名稱:臺灣松木P 溝道 30V (D-S) MOSFET
產品型號:ME2345A/ME2345A-G
代理品牌:臺灣松木
產品封裝:SOT-23
交期時間:現貨一般當天交貨,具體需電話詳情.
發貨貨倉:深圳/香港
熱門標簽:松木ME2345A,ME2345A-G,P溝道MOS管
咨詢熱線:0755-83322522 在線咨詢
產品名稱:臺灣松木P 溝道 30V (D-S) MOSFET
產品型號:ME2345A/ME2345A-G
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ME2345A / ME2345A-G,P溝道30V(D-S)MOSFET
ME2345A一般說明
ME2345A是使用高單元密度DMOS溝槽技術生產的P通道邏輯增強模式功率場效應晶體管。 這種高密度工藝經過特別設計,可最大程度地降低導通電阻。 這些設備特別適合低壓應用,例如蜂窩電話和筆記本計算機電源管理以及其他電池供電的電路,在這些應用中,需要在非常小的外形表面安裝封裝中進行開關和低串聯電源損耗。
ME2345A產品應用
●筆記本中的電源管理
●便攜式設備
●電池供電系統
●負荷開關
●DSC引腳配置
ME2345A/ME2345A-G,P-Channel 30V (D-S) MOSFET
GENERAL DESCRIPTION
The ME2345A is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
APPLICATIONS
● Power Management in Note book
● Portable Equipment
● Battery Powered System
● Load Switch
● DSC PIN CONFIGURATION
ME2345A特征
●RDS(ON)≤68mΩ@ VGS = -10V
●RDS(ON)≦80mΩ@VGS=-4.5V
●RDS(ON)≦100mΩ@VGS=-2.5V
●超高密度電池設計,可實現極低的RDS(ON)
●出色的導通電阻和最大直流電流能力
FEATURES
● RDS(ON) ≦68m?@VGS=-10V
● RDS(ON) ≦80m?@VGS=-4.5V
● RDS(ON) ≦100m?@VGS=-2.5V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability