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基于MOS場效應管的大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設計
本文的大功率寬頻帶線性射頻放大器是利用MOS場效應管（MOSFET）來設計的，采取AB類推挽式功率放大方式，其工作頻段為O 6M～10MHz，輸出的脈沖功率為1200W。經調試使用，放大器工作穩定，性能可靠。調試、試驗和實用時使用的測試儀器有示渡器、頻譜分析儀、功率汁、大功率同軸衰減器、網絡分析儀和射頻信號發生器。 -
臺灣松木ME15N10/ME15N10-G MOS管
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臺灣松木P溝道ME2325/ME2325-G MOSFET
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氮化鎵黑馬元拓高科發布GaNmosfet: 體積小，內阻低，耐壓高，散熱快
深圳元拓高科作為國內第三代半導體設計公司，集合了國內外十數名資深功率器件資深專家，最新推出專門用于快充充電頭的氮化鎵Mos管YT65系列。該產品主要針對30W——120W 快充頭，體積小，內阻低，耐壓高，集成度高，散熱快，助力用戶輕松設計充電頭。 -
冠禹KS1212DAT單N溝道高級功率 MOSFET
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MOS管如何判斷是靜電擊穿還是過流燒毀?
MOS管在工作中可能會發生靜電擊穿和過流燒毀兩種故障，需要進行判斷和診斷。下面介紹一下如何判斷MOS管是靜電擊穿還是過流燒毀。1. 靜電擊... -
松木ME2348A P溝道增強模式MOSFET管
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